纯铟镓氧化物

非晶态金属氧化物（MO）半导体由于具有宽的带隙和高的电子迁移率，成为下一代透明柔性电子器件的重要候选材料。在这些材料中，铟镓氧化锌（IGZO）是热门材料之一，流动性为10-100 cm2/Vs，在晶相和非晶相中都能稳定工作。Ga比In具有更大的氧结合焓，调整Ga浓度可以控制和稳定IGZO中的载流子浓度，制造的溅射IGZO器件（In:Ga:Zn∼1:1:1）用于优化薄膜晶体管（TFT）开关，但会极大的降低In2O3矩阵的电子迁移率。目前，300℃以下的溶液处理/退火方法代替了物理气相沉积制备MO电…