• 《Nature》重磅:超低介电新星——非晶氮化硼

    现代高性能应用于多功能电子设备逻辑、记忆器件都趋向于使用更小的晶体管尺寸和在更小的面积里堆叠更多的电路。然而,金属连接器维度的降低和堆叠密度的增加会导致电阻和电容延迟的增加,这将影响电子器件的运行速度。目前为止,研究者主要聚焦于降低于连接器的电阻,因为使用低温沉积工艺兼容金属氧化物半导体的互补的电介质集成具有大的技术挑战。 连接器独立材料必须具有低的介电常数(κ),作为扩散屏障阻止金属迁移进半导体,并且其必须具有高的热、化学、机械稳定性。明确的,国际元件及系统技术蓝图提出在2028年之前发展介电…

    行业动态 2020年7月7日
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